三星电子计划今年将人工智能数据中心所需的高带宽内存（HBM）产量提升至去年的三倍以上！
三星电子内存开发副总裁黄尚俊，于当地时间16日在美国加州圣何塞举行的英伟达年度开发者大会“GTC 2026”现场向记者透露：“我们正在急剧拉升产能，生产方面没有重大问题。”
他进一步表示：“我们的目标是让HBM4占据公司HBM总产量的一半以上。”并解释道：“在供应稍显紧张的情况下，整个行业集中供应高端产品是更优选择。”
针对全球内存短缺现状，黄副总裁强调了战略性的供应分配势在必行。他指出，在分配出货量时，必须区分战略合作伙伴与大规模量产客户。
公司还公布了下一代制程路线图。已开始量产的第六代HBM4及其后续产品第七代HBM4E，其基础芯片将采用相同的4纳米制程。然而，未来的HBM5和HBM5E将采用三星晶圆代工的2纳米制程。
此外，用于HBM5和HBM5E的堆叠芯片（核心芯片）将采用10纳米级的1c（第六代）和1d（第七代）制程。黄副总裁坦言：“尽管存在成本压力，但为了实现HBM所追求的产品理念，采用尖端制程是不可避免的。”
三星电子正推行一项战略，旨在配合其核心客户英伟达AI芯片的发布周期，每年推出新的HBM产品。
值得一提的是，英伟达CEO黄仁勋曾公开致谢三星的推理专用芯片“Groq3”，目前正在平泽园区生产。
黄副总裁透露，公司目标是在今年第三季度末至第四季度初开始该芯片的大规模量产，并且目前已获得的订单量远超预期。
他同时强调，Groq在与英伟达达成许可协议之前，就已是三星晶圆代工的客户。即使在英伟达合约之后，基于对产品的满意度，原有的生产体系也得以延续。
Groq3是一款芯片面积超过700平方毫米的大型芯片，每片晶圆仅能生产大约64个。与通常每片晶圆生产400-600个芯片相比，其集成密度显著降低。
取而代之的是，该芯片内部70-80%的区域由静态随机存取存储器构成，这降低了对外部HBM的依赖，并使得芯片自身能够进行快速推理运算。
